El IMM cuenta con las siguientes técnicas para la fabricación de nanoestructuras y nanodispositivos:
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Epitaxia de haces moleculares (MBE) de semiconductores III-V (In, Ga, Al, As, P, Sb)
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Pulverización catódica en ultra alto vacío de metales y semiconductores compuestos
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Deposición de metales: por haz de electrones, evaporación térmica y pulverización
catódica
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Ataques químicos: ataque húmedo y ataque seco por haces de iones reactivos (RIBE,
RIE)
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Litografía de ultra-violeta
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Litografía coloidal
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Técnicas de nanolitografía: Litografía por haz de electrones, Litografía por haz de iones,
oxidación por AFM
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Fabricación de nanoestructuras semiconductoras:
— Pozos, hilos y puntos cuánticos de semiconductores III-V por MBE
— Nanohilos de Si por CVD
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Fabricación de nanoestructuras magnéticas, plasmónicas y magnetoplasmónicas en ultra alto vacío por pulverización catódica (DC y RF), célula Knudsen y evaporador por cañón de electrones
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Fabricación de cristales fotónicos 2D
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Procesos de fabricación por electroquímica:
— Membranas de alúmina porosa (15 nm < Φ < 400 nm)
— Electrodeposición de semiconductores